Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

M: Metallphysik

M 26: Postersitzung

M 26.18: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 15:00–19:00, Aula

Charakterisierung der Versetzungsgeneration mittels Indentierungsexperimenten im Nanometerbereich — •D. Lorenz¹, H. Johansen², H. Leipner¹ und P. Grau¹ — ¹Martin-Luther-Universität Halle Wittenberg,Fachbereich Physik, Friedemann-Bach-Platz 6, D-06108 Halle — ²MPI für Mikrostrukturphysik Halle, Weinbergweg 2, D-06120 Halle

Modernste registrierende Härtemeßgeräte erlauben kontrollierte Eindruckversuche im Nanometerbereich. Sie werden hier zur Messung der Generationsspannung von Versetzungen, die in der Nähe der idealen Festigkeit der Einkristalle (1-20GPa) liegen, genutzt. Der als Pop-In-Effekt bezeichnete, plötzliche Verformungsschub beim Übergang von elastischer zu elastisch-plastischer Deformation ist Ausdruck einer primären Versetzungsentstehung im ungestörten Kristall. Es werden eine Übersicht dieses Effektes für metallische, ionische und Halbleitereinkristalle vorgestellt und eine Interpretation auf der Grundlage der elastischen Kontakttheorie in Verbindung mit theoretischen Abschätzungen der Generationsspannung gegeben.