Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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M: Metallphysik

M 26: Postersitzung

M 26.4: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 15:00–19:00, Aula

Selbstdiffusion in amorphen Si-C-N-Keramiken — •H. Schmidt¹, G. Borchardt¹, F. Link², H. Baumann², S. Weber³, H. Gnaser⁴, A. Müller⁵ und J. Bill⁵ — ¹Inst. f. Allg. Metallurgie, TU Clausthal — ²Inst. f. Kernphysik, U Frankfurt — ³Ecole des Mines, Nancy — ⁴IFOS, Kaiserslautern — ⁵MPI f. Metallforschung, Stuttgart

Eine neuartige Synthesemöglichkeit zur Herstellung hochtemperaturstabiler keramischer Materialien vom Typ Si-(B)-C-N besteht in der Darstellung über die Pyrolyse präkeramischer Polymere. Von großem Interesse ist in diesem Zusammenhang das Verständnis der Umordnungs- und Kristallisationskinetik sowie die zugrundeliegenden atomaren Transportprozesse dieser amorphen Systeme. An Si-C-N-Keramiken wurde daher die Selbstdiffusion der konstituierenden Elemente untersucht. Als Tracer fanden seltene stabilen Isotope (¹³C, ¹⁵N, ³⁰Si)Verwendung, die in die Probe mit einer Energie von 30 keV implantiert wurden. Die Diffusionsglühungen wurden im Bereich von 1000 - 1700 ^oC durchgeführt. Die Analyse der Implantations- und Diffusionsprofile erfolgte durch den Einsatz massenspektroskopischer Untersuchungsmethoden (SIMS) und Kernreaktionsanalyse (NRA). Die Anwendbarkeit dieser Methoden zur Bestimmung von Isotopentiefenprofilen in diesen Materialien wird demonstriert. Erste Ergebnisse werden vorgestellt, die auf eine deutlich geringere Beweglichkeit der Elemente C und N als Si hindeuten.