Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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M: Metallphysik

M 26: Postersitzung

M 26.40: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 15:00–19:00, Aula

Wachstum von dünnen, durch simultanes Aufdampfen hergestellten, quasikristallinen AlMn-Schichten — •P. Kreutzer und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Mit Hilfe eines Mehrfach-Elektronenstrahlverdampferofens wurden Aluminium und Mangan simultan auf ein im Transmissionselektronenmikroskop (TEM) durchstrahlbares HOPG-Substrat aufgedampft. Die Aufdampfraten beider Verdampfermaterialien wurden jeweils über die Ionenströme kontrolliert, was eine Regelung der Zusammensetzung der Aufdampfschichten ermöglichte. EDX-Messungen im TEM ergaben Mn-Anteile zwischen 12 und 23 At.%. Die ikosaedrische Phase (i-Phase) von AlMn konnte bei Substrattemperaturen ab 200^∘C mittels Elektronenbeugung eindeutig identifiziert werden. Bei Raumtemperatur hergestellte Schichten zeigten amorphe Struktur, die durch nachträgliches Heizen jedoch ebenfalls in die ikosaedrische Phase überführt werden konnten. Allerdings waren in diesen Schichten neben der quasikristallinen auch kristalline Phasen von z.B. Al₆Mn oder Al zu finden.

Die Quasikristallbildung wurde in Abhängigkeit von der Substrattemperatur, der Zusammensetzung und in ihrer zeitlichen Entwicklung bei Schichtdicken bis zu etwa 300 nm untersucht. Insgesamt konnte gezeigt werden, daß durch simultanes Aufdampfen die Herstellung quasikristalliner dünner Schichten im AlMn-System als reine i-Phase ohne die Anwesenheit zusätzlicher kristalliner Mischphasen möglich ist.