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M: Metallphysik
M 8: Plastizität I
M 8.3: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 15:45–16:00, S 9
Dispersionshärtung im System Kupfer-Gold-Siziliziumdioxid — •U. Lagerpusch und E. Nembach — Institut für Metallforschung, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10,
D-48149 Münster
An Einkristallen einer durch kugelförmige, inkohärente
SiO2-Partikel
dispersionsgehärteten Kupfer-0.65at%Gold-Legierung und an Einkristallen
der partikelfreien Kupfer-Gold-Matrix wurden Druckversuche bei
Temperaturen zwischen 90K und 500K durchgeführt.
Die SiO2-Partikel wurden durch Zulegieren
von 0.18at% Silizium und eine nachfolgende innere Oxidation der Proben
erzeugt. Der Volumenbruchteil und mittlere Radius der Teilchen wurden
mittels TEM zu f=0.006±0.001 bzw. r=61±4 nm bestimmt.
Die gemessenen kritischen Schubspannungen der
dispersionsgehärteten Kupfer-Gold-Legierung τt und der
Kupfer-Gold-Matrix τM wurden hinsichtlich der Überlagerung von
Dispersions- und Mischkristallhärtung analysiert: Es wurde der Exponent k
des empirischen Überlagerungsgesetzes
τtk=τMk+τpk ermittelt (τp:
Teilchenbeitrag zur gesamten kritischen Schubspannung).