Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

O 10.11: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 18:45–19:00, S2

Van der Waals-Xenotaxie : Wechsel von rechtwinkliger zu hexagonaler Symmetrie an epitaktischen GaAs(110)/GaSe(001) Grenzflächen — •R. Rudolph¹, C. Pettenkofer¹, A. Klein² und W. Jaegermann² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Abt.CG, Glienicker Str.100, 14109 Berli n — ²Technische Universität Darmstadt, FB Materialwissenschaft, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt

Epitaktische Schichten von Schichtgitterchalkogeniden können nicht nur auf 2-dimensionalen Schichtsubstraten sondern auch auf 3- bzw. 6-zähligen Flächen 3-dimensionaler Substrate epitaktisch wachsen (quasi van der Waals-Epitaxie qvdWE). Dass die qvdWE auch auf Substraten mit anderer Oberflächensymmetrie funktioniert wird am Beispiel der Epitaxie von hexagonalem GaSe auf der rechteckigen GaAs(110) Spaltfläche gezeigt. Eine Serie von LEED-Bildern zeigt die einzelnen Schritte der Keimbildung und die Koaleszenz der Keime bei zunehmender Dicke. Die 6-zählige c-Achse des GaSe ist dabei immer parallel zur GaAs(110) Flächennormalen orientiert. Die GaSe Keime nukleïren in zwei um 10^∘ zueinander rotierten Domänen die aus der Orientierung GaSe(120) ∥ GaAs(111) resultieren. Dickere Schichten zeigen dagegen dasBeugungsbild einer einkristallinen GaSe-Schicht mit GaSe(120) ∥ GaAs(001) .