Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

O 10.1: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 16:15–16:30, S2

Ab-initio Untersuchungen der Adatom Diffusion auf Si(111)3×3 — •A. Antons, R. Berger, S. Blügel und K. Schroeder — Institut für Festkörperphysik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Die Bindungsplätze und Sattelpunkte für Si Adatome auf der Si(111) 3×3 Takayanagi-Rekonstruktion[1] werden mittels ab initio Berechnungen bestimmt. Die Gesamtenergie E(r_∥^→,z;R^→) wird als Funktion der lateralen Position (r_∥^→) berechnet, wobei für jeden Punkt r_∥^→ die Substratatome (R^→), sowie die z-Koordinate des Adatoms, durch Minimierung der Gesamtenergie vollständig relaxiert werden. Die Diffusion des Adatoms auf der Si(111)3×3 Oberfläche wird mit der Diffusion von Si auf Arsen-terminiertem Si(111) verglichen.

Alle Rechnungen werden im Dichte-Funktional-Formalismus, in der lokalen Dichte Näherung, mit normerhaltenden, separablen Pseudopotentialen und einem ebenen Wellen-Basissatz auf einem Cray-T3E Parallelcomputer durchgeführt.

[1] K. Takayanagi, Y. Yasumasa, S. Takahashi and M. Takahashi, Surf. Sci. 164 (1985) 367.