Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

O 10.3: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 16:45–17:00, S2

CVD-Wachstum von Germanium auf Si(111)–(7×7) — •J. Braun, H. Rauscher und R.J. Behm — Universität Ulm, Oberflächenchemie & Katalyse, 89069 Ulm

Wir haben das CVD-Wachstum von Ge auf Si(111)–(7×7) unter UHV-Bedingungen mittels STM und XPS untersucht. Mit Monogerman als Precursor wird bei einem GeH₄–Partialdruck von 7×10⁻⁵ mbar im Temperaturbereich von 620-730 K Stranski–Krastanow–Verhalten beobachtet. Das anfängliche Wachstum ist dabei analog zur Si–Homoepitaxie mittels SiH₄ durch kinetisch stabilisierte (1×1):H–terminierte trigonale Inseln, mit überwiegend [112]–Monohydridstufenstruktur charakterisiert. Mit steigender Ge-Bedeckung in der ersten gewachsenen DL (1 DL entspricht 1.56×10¹⁵ Atome/cm²) ist bei gegebenem Druck eine Abnahme der H–Bedeckung zu beobachten. Die gewachsene Schicht der ersten DL setzt sich dann aus kleinen Domänen mit 5×5 und 7×7 Rekonstruktion zusammen. Nukleierte Inseln der zweiten DL hingegen weisen fraktale Struktur und ausschließlich 5×5 Rekonstruktion auf. Nach dem Wachstum von zwei DL ist dann ein abrupter Übergang vom 2d Lagenwachstum zum 3d Wachstum trigonal pyramidaler Inseln (Stranski–Krastanow) zu beobachten.