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O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

O 10.4: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 17:00–17:15, S2

Bildung dreidimensionaler Ge-Inseln auf Si(100) untersucht mit einem Hochtemperatur-STM — •M. Sulzberger, M. Kästner, B. Voigtländer und H.P. Bonzel — IGV, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Ein Hochtemperatur-Rastertunnelmikroskop (STM) wird benutzt, um die Entstehung und Entwicklung dreidimensionaler Inseln während der Epitaxie von Ge auf Si (100) zu untersuchen. Die zeitliche Entwicklung des Volumens und der Form einzelner {105} facettierter Ge Inseln (Hut Cluster) wird vorgestellt. Es wird eine geringere Wachstumsrate für größere Inseln beobachtet. Dieses Verhalten kann durch kinetisch selbstbegrenzendes Wachstum erklärt werden. Ein kinetisches Wachstumsmodell mit einer Barriere für die Nukleation jeder neuen atomaren Lage beschreibt die gemessene Volumenentwicklung gut. Auch der experimentell beobachte Übergang von anfänglich quadratischen zu länglichen Inseln wird von diesem Modell beschrieben. Bei größeren Bedeckungen und beim Tempern der Schichten wird ein Übergang von {105} facettierten Hut Clustern zu {113} facettierten Inseln (Dome Clustern) beobachtet.