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Münster 1999 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 10: Epitaxie und Wachstum (I)

O 10.8: Talk

Monday, March 22, 1999, 18:00–18:15, S2

Kohlenstoff induzierte Oberflächenrekonstruktionen auf Siliziumoberflächen — •Friedhelm Scharmann1, Stauden Thomas1, Eichhorn Gerd2 und Pezoldt Jörg11Institut für Festkörperelektronik, TU Ilmenau, Postfach 100565, 98684 Ilmenau — 2Institut für Festörperelektronik, TU Ilmenau, Postfach 100565, 98684 Ilmenau

Die Wechselwirkung von Kohlenstoff mit Siliziumoberflächen

gewinnt in zunehmendem Maße an Bedeutung auf dem Gebiet der

Epitaxie. Dies gilt im besonderen für die Systeme Si/Ge/C und

Si/SiC/Breitbandhalbleiter. In beiden Fällen sind die ersten

Stadien der Wechselwirkung von entscheidender Bedeutung für die

Qualität der nachfolgenden Abscheidung. Im Falle des Si/Ge/C

Systems soll ein gewünschter Kohlenstoffeinbau erzielt werden,

während im Si/SiC/Breitbandhalbleitersystem eine perfekte

Diffusionsbarriere und ein glattes SiC-Pseudosubstrat angestrebt

wird. Dafür ist eine genaue Kenntnis der an der Oberfläche

ablaufenden Prozesse, in den ersten Stadien der

Si-C-Wechselwirkung, notwendig. Diese wurden unter

MBE-Bedingungen unter Verwendung einer C-Feststoffquelle in einem

Temperaturbereich von 700 bis 1200 K für (100) und (111)

Si-Oberflächen mit Hilfe von in situ RHEED in Echtzeit

untersucht. Es wurde festgestellt, daß die Anlagerung des

Kohlenstoffs zu einem Wechsel der Oberflächenrekonstruktion

der Si-Oberfläche führt. Es werden die unterschiedlichen

Strukturen und ihr Existenzbereich diskutiert.

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