Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 10: Epitaxie und Wachstum (I)
O 10.9: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 18:15–18:30, S2
Wachstumskinetik in der Heteroepitaxie: CaF2 auf Si(111) — •Andreas Klust, Robert Kayser, Holger Pietsch und Joachim Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover, Germany
Die Kinetik des Wachstums von ultradünnen CaF2 Schichten auf der Si(111) Oberfläche wurde mit Rasterkraftmikroskopie (AFM) untersucht. Als Substrate wurden sowohl fehlgeneigte, als auch wohlorientierte Si-Kristalle benutzt. Auf den fehlgeneigten Substraten wurde bei steigenden Wachstumstemperaturen ein Übergang von homogener Nukleation auf den Terrassen zu heterogener Nukleation an den Stufenkanten beobachtet. Die Terrassennukleation hat ein Lage-für-Lage, die Stufennukleation ein sehr inhomogenes Wachstum zur Folge. Zusätzlich wurde die Grenzflächenstruktur durch einen Zwischenschritt in der Präparation der Schichten gezielt modifiziert (CaF2 → CaF Stöchiometrie). Auf der modifizierten Grenzfläche findet im Fall der Terrassennukleation kein Lage-für-Lage Wachstum, sondern die Bildung von 3D-Inseln statt.
Zur Erklärung der experimentellen Ergebnisse wurde ein Wachstumsmodell entwickelt, das auf Untersuchungen zur Homoepitaxie basiert[1]. Unser Modell berücksichtigt insbesondere die unterschiedlichen Diffusionskonstanten beim Wachstum von CaF2 auf CaF verglichen mit CaF2 auf CaF2.
[1] J. Tersoff, A. W. Denier van der Gon und R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 72 (1994) 266.