O 10: Epitaxie und Wachstum (I)
Montag, 22. März 1999, 16:15–19:00, S2
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16:15 |
O 10.1 |
Ab-initio Untersuchungen der Adatom Diffusion auf Si(111)3×3 — •A. Antons, R. Berger, S. Blügel und K. Schroeder
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16:30 |
O 10.2 |
Diffusion und Einbau von Ge- und Si-Adatomen auf As–terminiertem Si(111): ein Vergleich — •Kurt Schroeder und Stefan Blügel
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16:45 |
O 10.3 |
CVD-Wachstum von Germanium auf Si(111)–(7×7) — •J. Braun, H. Rauscher und R.J. Behm
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17:00 |
O 10.4 |
Bildung dreidimensionaler Ge-Inseln auf Si(100) untersucht mit einem Hochtemperatur-STM — •M. Sulzberger, M. Kästner, B. Voigtländer und H.P. Bonzel
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17:15 |
O 10.5 |
STM-Untersuchung von Ga auf Si(001) — •J.H. Zeysing, O. Bunk, G. Falkenberg und R.L. Johnson
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17:30 |
O 10.6 |
Diffusion mechanisms and the nature of Si ad-dimers on Ge(001) — •E. Zoethout, H.J.W. Zandvliet, W. Wulfhekel, G. Rosenfeld, and B. Poelsema
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17:45 |
O 10.7 |
Wachstum von Ge auf Ge(113): Eine Untersuchung mit SPA-LEED und Röntgenbeugung — •A. Hirnet, M. Albrecht, M. Gierer und W. Moritz
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18:00 |
O 10.8 |
Kohlenstoff induzierte Oberflächenrekonstruktionen auf Siliziumoberflächen — •Friedhelm Scharmann, Stauden Thomas, Eichhorn Gerd und Pezoldt Jörg
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18:15 |
O 10.9 |
Wachstumskinetik in der Heteroepitaxie: CaF2 auf Si(111) — •Andreas Klust, Robert Kayser, Holger Pietsch und Joachim Wollschläger
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18:30 |
O 10.10 |
Zerstörungsfreie Bestimmung von Polytyp und Polarität dünner Siliziumkarbid- und III-Nitrid-Schichten mit Elektronenbeugungsmethoden — •B. Schröter, A. Fissel, M. Kreuzberg und Wo. Richter
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18:45 |
O 10.11 |
Van der Waals-Xenotaxie : Wechsel von rechtwinkliger zu hexagonaler Symmetrie an epitaktischen GaAs(110)/GaSe(001) Grenzflächen — •R. Rudolph, C. Pettenkofer, A. Klein und W. Jaegermann
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