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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.18: Poster

Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula

Untersuchung des Fe-induzierten zweidimensionalen Elektronengases auf InAs(110) mittels STM und UPS — •D. Haude, M. Morgenstern, Chr. Witteneven, R. Dombrowski, M. Getzlaff und R. Wiesendanger — Inst. f. Angew. Physik, Uni Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Schon geringste Adsorbatbedeckungen reichen aus, um das Ferminiveau der InAs(110)-Oberfläche am Leitungsband zu „pinnen“. Dabei bildet sich an der n-dotierten Oberfläche ein zweidimensionales Elektronengas aus. Die Verschiebung des Ferminiveaus wurde bei Fe-Bedeckungen im Submonolagenbereich mit winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie nachgewiesen. Untersuchungen mit dem Rastertunnelmikroskop zeigen, daß die Fe-Atome bei Raumtemperatur auf der Oberfläche beweglich sind und sich zu Reihen anordnen. Mittels Rastertunnelspektroskopie wurde der lokale Einfluß dieser Cluster auf die elektronische Struktur des Halbleiters untersucht.