Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.2: Poster
Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula
Elektronenenergie Verlustspektroskopie am System H/Si(100) mit höchster Auflösung — •F.S. Tautz und J.A. Schaefer — Institut für Physik, Technische Universität Ilmenau, Postfach 100565, 98684 Ilmenau
Wasserstoff-terminierte Si(100) Oberflächen wurden mittels der hochauflösenden Elektronenenergie Verlustspektroskopie (HREELS) untersucht. Im Unterschied zu früheren Untersuchungen konnte eine Auflösung von etwa 13 cm−1 erreicht werden. Erstmals ist es dadurch mit HREELS möglich geworden, die Streckschwingungen von Monohydrid- und Dihydrid-Struktureinheiten anhand ihrer Frequenz voneinander zu trennen. Die Frequenzverschiebung beträgt 5 cm−1. Ebenso finden wir verbreiterte Linienprofile, die auf die Anregungen von symmetrischen und antisymmetrischen Streckschwingungen hindeuten. Dies wiederum ist ein starker Hinweis, daß in unseren Experimenten die Stoßstreuung der dominante Streumechanismus ist. Aufgrund der hohen Auflösung finden wir mindestens drei neue Moden auf Si(100): In guter Übereinstimmung mit Infrarotexperimenten finden wir auf der Si(100):2H (1x1) die Streckschwingungen des Trihydrids. Dies deutet auf die Tatsache hin, daß diese konventionell als Dihydrid bezeichnete Phase eher ungeordnet ist und neben Dihydrid-Struktureinheiten auch Mono- und Trihydride enthält. Diese Interpretation wird gestützt durch die erstmalige Beobachtung der Trihydrid Regenschirmmode bei 858 cm−1 auf Si(100). Schließlich wird noch eine dritte neue Mode bei 637 cm−1 beobachtet, die zwischen der Monohydrid Biegeschwingung bei 621 cm−1 und der Dihydrid Wedelmode bei 658 cm−1 liegt.