Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.32: Poster
Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula
Ab-initio-Untersuchung der elektronischen Struktur relaxierter Fe3Si- und FeSi(CsCl)-Oberflächen — •P. Fleck, M. Bockstedte und O. Pankratov — Lehrstuhl für Theoretische Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr.7, D-91058 Erlangen
Eisensilizid-Filme sind ein vielversprechendes Material für Anwendungen in der Siliziumtechnologie. Insbesondere eröffnet ferromagnetisches Fe3Si (Curie-Temperatur 560 ∘C) Möglichkeiten für magnetoelektronische Anwendungen. Neuere experimentelle Untersuchungen [1] weisen auf einen reversiblen Phasenübergang an der Oberfläche dieses Materials zu einer
FeSi(CsCl)-Ordnung hin. Die Umwandlungstemperatur entspricht dabei der Curie-Temperatur des Volumenmaterials. Die elektronische Struktur der Oberflächen und die zur Phasenumwandlung führenden Mechanismen sind bisher nicht aufgeklärt. Zur Untersuchung der elektronische und magnetischen Eigenschaften der Materialien und ihrer Oberflächen führen wir ab
initio Untersuchungen im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie durch. Dazu verwenden wir Pseudopotentiale und die generalisierte Gradienten-Näherung für das Austausch-Korrelationspotential. Um die magnetischen Eigenschaften untersuchen zu können berücksichtigen wir die Spinpolarisierung. Das Programmpaket fhi96md wurde dazu um die Spinpolarisierung der Elektronen
erweitert. Für die Volumenkristalle von Fe3Si und FeSi(CsCl) finden wir magnetische Momente von 6.0 µB bzw. < 0.05 µB. Wir diskutieren die atomare und elektronische Struktur der Fe3Si- und FeSi(CsCl)-(100)-Oberflächen.
[1] U. Starke et al., Surf. Sci. 377–379, 539 (1997).