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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.34: Poster

Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula

Elektronische Eigenschaften der hexagonalen (0001)- und (0001)-Oberfläche von Gruppe III-Nitriden — •G. Hirsch, P. Krüger und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II - Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Innerhalb der Gruppe III-Nitride sind die polaren (0001)- und (0001)-Oberflächen von GaN technologisch besonders interessant. Experimentell wird neben verschiedenen Rekonstruktionen auch eine nicht rekonstruierte (1× 1)-Struktur gefunden. Erste ARPES [1] und HREELS [2] Untersuchungen dieser Oberfläche zeigen einen Oberflächenzustand im Bereich der Valenzbandoberkante und einen Zustand in der Mitte der Bandlücke, der das Ferminiveau festlegt. Der genaue Ursprung dieser Zustände ist bislang ungeklärt.

Wir haben deshalb die elektronischen Eigenschaften verschiedener Gallium und Stickstoff terminierter 1× 1 Geometrien von GaN untersucht. Im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie wurden dazu Superzellen-Rechnungen unter Verwendung separabler normerhaltender Pseudopotentiale und eines Basissatzes aus lokalisierten Gaußorbitalen durchgeführt. Zur Verbesserung der Beschreibung der elektronischen Eigenschaften kamen in den Bandstrukturberechnungen auch die von uns entwickelten SIRC-Pseudopotentiale [3] zum Einsatz.

[1] S.S. Dhesi et al., Phys. Rev. B56, 10271 (1997)

[2] A. Rizzi, H. Lüth, Il Nuovo Cimento, Oktober 1998

[3] D. Vogel, P. Krüger, J. Pollmann, Phys. Rev. B 55, 12836 (1997)