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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.35: Poster

Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula

Ab-initio Berechnung elektronischer und struktureller Eigenschaften der (0001) WSe₂ Oberfläche. — •D. Voß, P. Krüger, A. Mazur und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II - Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Wir haben die strukturellen und elektronischen Eigenschaften der reinen und der durch Fehlstellen gestörten (0001) Oberfläche des Schichthalbleiters WSe₂ berechnet. Dazu wurden im Rahmen der lokalen Dichteapproximation der Dichtefunktionaltheorie ab-initio Pseudopotentiale verwendet. Die Wellenfunktionen haben wir durch Gaußorbitale dargestellt. Der Einfluß verschiedener Spitzenzustände auf die Gestalt von Rastertunnelmikroskopie-Bildern wurde in diesen Rechnungen detailliert untersucht. Unsere Resultate für die ungestörte Oberfläche zeigen, daß sich die Orte hoher Intensität eindeutig Se Plätzen zuordnen lassen. Dagegen ist die Intensität an den W Positionen abhängig von der Symmetrie des Spitzenzustandes. Wir haben außerdem Rastertunnelmikroskopie-Bilder für verschiedene Fehlstellenkonfigurationen berechnet. Auf dieser Grundlage diskutieren wir, inwieweit die im Experiment nach Manipulation der Probe beobachteten “Dreierspots” [1] durch Fehlstellen erklärt werden können.

[1] A. Asenjo et al., Surf. Sci. 398, 231 (1998).