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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.37: Poster

Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula

OBERFLÄCHENZUSTÄNDE DER (1× 1), (3×3) UND (√3 × √3R30) 6H-SiC(0001)-REKONSTRUKTIONEN — •C. Benesch und H. Merz — Physikalisches Institut, Universität Münster

Siliziumkarbid ist in den letzten Jahren aufgrund seiner großen Bandlücke zu einem sehr interessanten Halbleitermaterial geworden. Wir untersuchen in diesem Zusammenhang die Struktur der Leitungsbänder von Silizium-terminierten 6H-SiC(0001) Oberflächen.
Es wurden die vier in der Literatur bekannten 6H-SiC(0001) Rekonstruktionen erfolgreich durch Heizen im Silizium-Strahl präpariert. Alle vier Rekonstruktionen ((1×1), (3×3), (√3×√3R30) und (6√3×6√3R30)) konnten mittels LEED eindeutig identifiziert werden, und sie zeigten in AES-Messungen charakteristische Si/C-Peakverhältnisse.
An drei Rekonstruktionen konnten erfolgreich IPE-Spektren aufgenommen werden. Es lassen sich einige der auftretenden Strukturen aufgrund ihrer Lage in der Volumenbandlücke, ihrer Dispersion, ihrer Kontaminationsabhängigkeit und durch einen Vergleich mit theoretischen Oberflächenbandstrukturrechnungen [1] eindeutig der Oberfläche zuordnen.

[1] J. Pollmann, P. Krüger, M. Sabisch; phys. stat. sol.(b) 202, 421 (1997)