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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.5: Poster

Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula

Oberflächenphononen von Si(001)-(2×1) und Ge:Si(001)-(2×1) — •V. Gräschus, A. Mazur, P. Krüger und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II–Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster

In diesem Beitrag stellen wir die Oberflächenphononendispersionen von Si(001)-(2×1) und Ge:Si(001)-(2×1) vor. Unsere Rechnungen basieren auf einem semi-empirischen Gesamtenergieansatz, in dem sich die Energie aus einem attraktiven Bandstrukturanteil und einem empirischen, repulsiven Anteil zusammensetzt. Die Bandstrukturenergie wird dabei im Rahmen der empirischen Tight-Binding Methode berechnet. Entscheidend ist, daß benötigte Eingangsgrößen des Ansatzes aus detaillierten ab-initio Studien des entsprechenden Oberflächensystems gewonnen wurden. Für beide Systeme wurden so die Parameter für die Wechselwirkung der Dimeratome untereinander und mit dem Substrat bestimmt. Daher können die Phononen der Ge:Si(001) und der reinen Si(001) Oberfläche auf gleicher Grundlage miteinander verglichen werden. Die von uns berechneten Si(001)-(2×1) Oberflächenphononen sind in sehr guter Übereinstimmung mit ab-initio Ergebnissen aus Ref. [1]. Wir gehen davon aus, daß unsere Ergebnisse für die Ge:Si(001)-(2×1) Oberfläche eine ähnliche Genauigkeit aufweisen.

[1] J. Fritsch, P. Pavone, Surf. Sci. 344, 159 (1995)