Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.8: Poster

Montag, 22. März 1999, 19:30–22:30, Aula

Oberflächendynamik von Si(001)-(1×1):2H und Ge(001)-(1×1):2H — •S. Tausendpfund, W. Stigler, A. Dvořák, J. Fritsch und U. Schröder — Universität Regensburg

Wir untersuchen die Oberflächendynamik von Si(001):2H und Ge(001):2H mit ab initio Molekulardynamik. Es werden thermisch angeregte Flips beobachtet, welche das Vorzeichen des Kippwinkels der Dihydridgruppen verändern. Aufgrund der repulsiven Wechselwirkung zwischen den Gruppen finden diese Übergänge auf eine stark korrelierte Weise statt. Eine realistische Beschreibung der Oberflächendynamik erfolgt durch Simulation an sehr großen Zellen unter Verwendung eines Wechselwirkungspotentials. Dessen Parameter werden aus den Dichtefunktionalrechnungen bestimmt.