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O: Oberflächenphysik

O 18: Epitaxie und Wachstum (II)

O 18.3: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 16:45–17:00, S10

Computersimulation des Wachstums ultradünner metallischer Filme mittels Clusterdeposition — •R. Meyer, K. Kadau und P. Entel — Theoretische Tieftemperaturphysik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, Lotharstraße 1, D-47048 Duisburg

Eine interessante Methode zur Herstellung qualitativ hochwertiger dünner Filme ist die Deposition von Clustern auf einem Substrat (energetic cluster impact, ECI). Wir untersuchen das Wachstum metallischer Filme mittels dieser Methode im Rahmen von Molekulardynamik-Simulationen unter Zuhilfenahme von embedded-atom method (EAM) Potentialen. Hierzu simulieren wir den Einschlag kleiner Cluster mit N=147 Atomen und einer kinetischen Energie von einigen eV pro Atom auf einer zunächst glatten Substratoberfläche. Die sukzessive Simulation einzelner Clusterdepositionen führt schließlich zur Ausbildung geschlossener Filme. Wir zeigen Ergebnisse dieser Simulationen für das Wachstum von Ni/Fe(001) und Fe/Cu(001) und vergleichen mit Resultaten von Simulationen anderer Herstellungsmethoden.