Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 21: Oxide und Isolatoren/Phasenüberg
änge
O 21.7: Vortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 16:00–16:15, S10
Gestufte epitaktische NaCl-Schichten — •Chr. Tegenkamp und H. Pfnür — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover
Um gezielt die elektronischen Eigenschaften von NaCl–Einfachstufen im
Hinblick auf ihre Reaktivität zu untersuchen werden epitaktische
NaCl–Filme auf einen in [011]
Richtung 5.4∘ fehlgeneigten Ge(100) Kristall gewachsen. Damit eine
NaCl–Einfachstufenabfolge gelingt, sollte die Ge Oberfläche –aufgrund der
Kristallstruktur von Adsorbat und Substrat– nur die DB Doppelstufen
Konfiguration aufweisen.
LEED Untersuchungen haben jedoch für die reine vicinale Ge–Oberfläche
eine SA und SB Einzelstufenabfolge bestätigt. Durch
pseudomorphes Aufwachsen von 0.5 ML Si bei T=470 K kann die
notwendige DB Konfiguration mit einer mittleren
Terassenlänge von 7.5 Atomen generiert werden.
Für die NaCl Epitaxie konnten bisher zwei Wachstumsmodi mit LEED beobachtet
werden:
1. NaCl wächst bei Raumtemperatur nicht geschlossen, sondern in Inselform
auf den (100) Terassen mit einer Vorzugsrichtung in [010] und [001].
2. Bei Substrattemperaturen von 170 K bildet sich eine geschlossene NaCl
Schicht aus. Die Ge–Doppelstufen werden dabei vom NaCl teilweise überwachsen (carpet
mode).
Durch Adsorptionsexperimente mit Wasser kann gezeigt werden, daß
sowohl die rauhe, nicht geschlossene als auch die verspannte NaCl
Schicht eine erhöhte Wechselwirkung aufweist.
Ziel ist eine Separation der NaCl–Einfachstufen, ausgehend von den beiden
beobachteten
Wachstumsmodi, durch Optimieren der Epitaxieparameter.