Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 22: Nanostrukturen

O 22.9: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 16:30–16:45, S1

Selbstorganisiertes Wachstum von Dysprosiumsilizid-Drähten auf Si(100) — •C. Preinesberger, T. Kalka, S. Vandré und M. Dähne-Prietsch — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Lanthanidsilizidschichten auf Si(111) sind in letzter Zeit intensiv untersucht worden, insbesondere wegen ihres epitaktischen Wachstums und der extrem niedrigen Schottky-Barriere auf n-Si(111). Hingegen haben Lanthanidsilizide auf der technologisch wichtigen Si(100)-Oberfläche bisher kaum Beachtung gefunden. Bei Dysprosium-Schichtdicken um 0,1 nm und Temperaturen um 500 ^∘C haben wir vor kurzem das selbstorganisierte Wachstum von sehr gleichförmigen eindimensionalen Dysprosiumsilizidstrukturen auf Si(100) beobachtet [1]. Hier werden systematische STM-Untersuchungen präsentiert, die das Wachstum dieser Siliziddrähte in verschiedenen Stadien zeigen und einen Einblick in die Wachstumskinetik ermöglichen. Darüber hinaus werden erste Strukturmodelle diskutiert.

[1] C. Preinesberger, S. Vandré, T. Kalka, M. Dähne-Prietsch, J. Phys D 31, 43 (1998)