Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 23: Epitaxie und Wachstum (III)

O 23.11: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:00–17:15, S2

Wachstum von Cu auf Ir(100)-(5x1) — •Gerhard Gilarowski und Horst Niehus — Institut für Physik, Oberflächenphysik und Atomstoßprozesse, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstr. 110, 10115 Berlin

Das Wachstum von Kupfer wurde mittels STM, ISS und LEED untersucht. Die reine Ir(100) Oberfläche rekonstruiert in eine quasihexagonale (5x1) Struktur [1]. Das Wachstum startet mit der Bildung von atomaren Kupferketten, deren Orientierung durch die Rekonstruktion vorgegeben ist. Nach Erhöhung der Bedeckung entsteht ein zweidimensionaler Kupferfilm, wobei aber die Substratrekonstruktion bestehen bleibt. Heizen dieser Oberfläche zerstört die Rekonstruktion unter dem Kupfer und führt zu einer komplexen Oberfläche, die Kupfer in einer (1x1) und Iridium sowohl in der ursprünglichen (5x1) als auch in einer (1x1) Struktur zeigt. Durch Messung der lokalen Barrierenhöhen mittels STM-I/Z Kurven konnten die verschiedenen Bereiche dieser Oberfläche identifiziert werden. Die ISS Messungen zeigen, daß in Übereinstimmung mit der Theorie keine Durchmischung stattfindet [2].
Die Arbeit wurde gefördert durch die DFG im SFB 290 TP B7.
[1] N. Bickel und K. Heinz; Surface Science 163 (1985) 435

[2] A. Christensen et. al.; Physical Review B 56 (1997) 5822