Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 23: Epitaxie und Wachstum (III)

O 23.14: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:45–18:00, S2

Untersuchungen zur Keimbildung und zum Wachstum von Rhodiumschichten auf einer Graphit(0001) (HOPG)-Oberfläche — •Olaf Kurtz und Klaus Christmann — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, FU Berlin, Takustr. 3, 14195 Berlin

Das Keimbildungs- und Wachstumsverhalten von Rhodium auf einer

frischgespaltenen HOPG-Oberfläche wurden bei Raumtemperatur mit

STM, XPS und UPS studiert. Es konnte gezeigt werden, daß

zwischen Rhodium und dem Trägermaterial unter den

gewählten experimentellen Bedingungen keine chemische

Wechselwirkung auftritt. Das Rh-Wachstum folgt dementsprechend

einem Volmer-Weber-Mechanismus. Rhodium bildet dabei ab einer

Bedeckung von ca. 1,65 ML Cluster mit Kugelgestalt. Entlang

der Oberflächendefekte (besonders Stufenkanten) lagern sich die

Cluster zu Ketten zusammen. Mit wachsender Bedeckung bilden sich

fraktale Inseln, deren Mobilität mit der Größe abnimmt,

so daß ihre Anzahl stark wächst, Koaleszenz jedoch nur selten

beobachtet wird. In den XPS-Experimenten wurde eine Verschiebung der

Bindungsenergie der Rh(3d)-Elektronen um +0,3 eV mit

abnehmender Clustergröße des Metalls gemessen.

Die UP-Spektren (HeI) zeigen drei Signale bei -0,75 eV, -3,2 eV und -4,4 eV

unterhalb des Ferminiveaus. Das Valenzbandspektrum belegt, daß Rhodium

sowohl in den kugelförmigen Clustern als auch in den fraktalen Inseln

dichtgepackt ist.