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O: Oberflächenphysik

O 23: Epitaxie und Wachstum (III)

O 23.2: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 14:45–15:00, S2

Di rekte Bestimmung des Adsorptionsplatzes von Silizium auf Cu(110) durch energie- und winkelaufgelöste Photoelektronenbeugung — •M. Roth, M. Wiets, M. Weinelt und Th. Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen, Germany

Das System Silizium auf Cu(110) weist im Bedeckungsbereich zwischen 0.5 und 1 Monolage einen Übergang von einer c(2×2)- zu einer (2×1)-Struktur auf, in dessen Verlauf eine in [001]-Richtung ungeordnete Phase auftritt. Diese drei Phasen wurden mit Photoelektronenbeugung bei BESSY am HE-TGM-1 Strahlrohr untersucht. Als Emitter diente das Si-2p Niveau. Direkte Inversionsmethoden zur Bestimmung der lokalen Struktur bedingen eine Vielzahl an Messungen unter verschiedenen Emissionswinkeln. Der verwendete Display-Analysator ermöglicht jedoch Elektronen in einem Raumwinkel von 1.4 π gleichzeitig nachzuweisen. Somit können die für eine Rekonstruktion notwendigen Spektren innerhalb weniger Stunden aufgenommen werden. Darüberhinaus kann auf eine Symmetrisierung der Daten verzichtet werden. Es wurde die ’Projektionsmethode’ sowie eine im Rahmen eines reinen Rückstreumodells streuphasenkorrigierte Fouriertransformation der Modulationsfunktionen angewendet, um ein dreidimensionales Bild der lokalen Umgebung des Emitters zu bestimmen. Bei allen drei Strukturen ergibt sich ein fcc-Gitterplatz mit einer geringen vertikalen Kontraktion gegenüber dem Cu-Volumenlagenabstand als bevorzugter Adsorptionsplatz des Siliziumatoms. Die Ergebnisse stehen in Einklang mit Strukturuntersuchungen zur c(2×2)-Struktur [1,2].

[1] J.A. Martin-Gago et al. Phys. Rev. B 55, 12896 (1997)

[2] C. Rojas et al. Phys. Rev. B 57, 4493 (1998)