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O: Oberflächenphysik
O 23: Epitaxie und Wachstum (III)
O 23.5: Talk
Wednesday, March 24, 1999, 15:30–15:45, S2
Präparation und Charakterisierung geordneter Siliziumdioxidfilme auf einem Metallträger — •T. Schröder, M. Adelt, M. Bäumer und H.-J. Freund — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Abt. Chemische Physik, Faradayweg 4 - 6, 14195 Berlin
Während es gelungen ist, eine ganze Reihe von Oxiden in Form dünner wohlgeordneter Filme auf geeigneten Substraten herzustellen, ist dieser Versuch im Falle von SiO2 bislang fehlgeschlagen. Wir haben das Wachstum von Siliziumdioxid auf Mo(112), welches aufgrund seiner Gitterkonstanten ein epitaktisches Wachsum von SiO2 erwarten läßt, studiert. Die Präparation erfolgte in mehreren Zyklen durch Deponierung von Si gefolgt von Oxidations- und Temperzyklen. Dabei konnte im LEED die Entstehung einer c(2x2)-Überstruktur beobachtet werden, die sich bei einer Schichtdicke von ca. 2 ML durch hohen Kontrast und vergleichsweise scharfe Reflexe auszeichnet. Schichtdicke und chemische Zusammensetzung des Films wurden mittels Auger-Spektroskopie überprüft. Desweiteren sind XPS- (X-ray Photoelectron Spectroscopy) und NEXAFS-Messungen (Near Edge X-ray Absorption Fine Structure) geplant, um im Detail die elektronische Struktur und die Modifikation des Systems zu klären.