Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 23: Epitaxie und Wachstum (III)

O 23.7: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 16:00–16:15, S2

Wachstum von Pb auf Ge(113), untersucht mit Elektronen- und Röntgenbeugung — •M. Albrecht, A. Hirnet, M. Gierer, A. Iglesias und W. Moritz — Institut für Kristallographie und Angewandte Mineralogie der Universität München, Theresienstraße 41, 80333 München.

Mit SPA-LEED und oberflächenempfindlicher Röntgenbeugung wurde das Wachstum von Pb auf der Ge(113) Oberfläche untersucht. Die Röntgenmessungen wurden mit einem neu aufgebauten UHV-Diffraktometer durchgeführt, welches die Messung von Reflexintensitäten während des Schichtwachstums gestattet. Dabei wurden bereits bei einer nominellen Bedeckung von 0.2 Monolagen Veränderungen an der (3x1) Rekonstruktion der reinen Oberfläche erkennbar, die auf eine geordnete Pb-Überstruktur hindeuten. Weitere charakteristische Strukturen liegen bei Bedeckungen von 0.5 und einer Monolage vor. Die erstere ist durch das Verschwinden der Überstrukturreflexe gekennzeichnet. Oberhalb einer vollen Atomlage wächst weiteres Material in Inseln auf. Bei Substrattemperaturen um 600 K Es bildet sich dabei eine inkommensurable Überstruktur. Bei den drei genannten Bedeckungen wurden Datensätze mit Röntgenbeugung gemessen, von denen erste Ergebnisse vorgestellt werden.