Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 26: Epitaxie und Wachstum (IV)

O 26.1: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 11:15–11:30, S10

Streifenmusterbildung während des homoepitaktischen Wachstums von Cu(001) — •Sebastiaan van Dijken, Louis Jorritsma und Bene Poelsema — Universiteit Twente, Enschede NL

Die Morphologie der Cu(001)-Oberfläche nach Deposition mehrerer Monoschichten Kupfer bei 250 K wurde mittels der hochauflösenden Beugung langsamer Elektronen (SPA-LEED) untersucht. Eine bis jetzt unvermutete Musterbildung wurde beobachtet, wenn statt der üblichen senkrechten Anordnung eine streifende Aufdampfgeometrie gewählt wird. Diese Wahl der Depositionsgeometrie führt zu Zerstörung der vierfachen Symmetrie auf der Oberfläche. Das deponierte Filmmaterial zeigt eine ausgeprägte zweifache Symmetrie, verursacht durch die Ausbildung von parallellen Streifen, welche senkrecht zur Einfallsebene des Kupfers ausgerichtet sind. Die Seiten dieser Streifen haben wohlgeordnete Facetten: sie nehmen auf der beleuchteten, beziehungsweise abgeschatteten Seite der Streifeneine eine klare (111)- und (113)-Orientierung an. Die Aufrauhung der Oberfläche passiert außerdem erheblich schneller als während der senkrechten Deposition. Die Facetten sind schon nach Deposition von etwa 20 Monolagen deutlich ausgebildet und dazu steiler als die (115)-Fazetten die bei normaler Deposition entstehen. Die Ergebnisse sind zu verstehen, wenn man die Brechung der Kupferatome vor dem Aufprall auf der Oberfläche berücksichtigt. Dieses bisher in Wachstumsprozessen nicht betrachtete Phänomen wird eingehend in Zusammenhang mit den gezeigten experimentellen Daten diskutiert.