Münster 1999 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 26: Epitaxie und Wachstum (IV)

Thursday, March 25, 1999, 11:15–13:00, S10

	11:15	O 26.1	Streifenmusterbildung während des homoepitaktischen Wachstums von Cu(001) — •Sebastiaan van Dijken, Louis Jorritsma und Bene Poelsema
	11:30	O 26.2	Streifende Streuung von schnellen Ionen - eine neue Methode zur Untersuchung von epitaktischem Wachstum — •R. Pfandzelter, T. Igel und H. Winter
	11:45	O 26.3	Beobachtung des Zenon-Effekts beim homoepitaktischen Schichtwachstum — •Thomas Michely, Matthias Kalff, Pavel Smilauer, and George Comsa
	12:00	O 26.4	Homoepitaxie und Wasserstoffätzen auf Diamant(100) untersucht mit STM und SPA–LEED — •Felix Schäfer und Ulrich Köhler
	12:15	O 26.5	Monte Carlo Simulation des Übergangs von statistischem Wachstum zu Lage-für-Lage-Wachstum auf fcc(111) Flächen — •Joachim Wollschläger und Mats I. Larsson
	12:30	O 26.6	Kantendiffusion beim MBE-Wachstum — •S. Schinzer, M. Biehl, M. Kinne und W. Kinzel
	12:45	O 26.7	Nichtlineare Depositionsgleichung für Oberflächenwachstum: Theoretische Analysen und numerische Simulationen — •Martin Raible, Stefan Linz und Peter Hänggi