Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 27: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (III)

O 27.1: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 11:15–11:30, S1

Einfluß des elektrischen Feldes auf STM-Bilder von Metalloberflächen — •S. Heinze¹, X. Nie², S. Blügel² und M. Weinert³ — ¹Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, 20355 Hamburg — ²Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — ³Physics Department, Brookhaven National Laboratory, New York 11973, USA

Das Wachstum von Metallfilmen unter elektrolytischen Bedingungen hat in den letzten Jahren zunehmendes Interesse gefunden, da man durch die Änderung des elektrochemischen Potentials die Morphologie der gewachsenen Filme beeinflussen kann. Die Abbildung dieser Strukturen ist mittels Rastertunnelmikroskopie (STM) bis auf atomare Skala möglich. Die Interpretation von atomar aufgelösten STM-Bildern, auf der Grundlage der Übereinstimmung von Atomplätzen mit Positionen hohen Tunnelstroms, ist für Metalloberflächen keinesfalls gewährleistet. In diesem Vortrag zeigen wir mittels ab initio Elektronenstrukturrechnungen am Beispiel der Fe(001)-Oberfläche, daß es unter elektrolytischen Umgebungsbedingungen, die zu starken elektrischen Feldern an der Oberfläche führen können, zu Änderungen von einer normalen Abbildung der Atome zu einer Abbildung der Zwischengitterplätze (Atomplätze führen zu minimalem Tunnelstrom) kommen kann. Eine Verallgemeinerung des Effekts auf andere Systeme wie Oberflächenlegierungen, in denen es dann zu der Abbildung der einen oder anderen Atomsorte kommt, wird diskutiert.

Die Rechnungen basieren auf der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichtenäherung und wurden mit der full-potential linearized augmented plane wave method (FLAPW) in Filmgeometrie durchgeführt.