Münster 1999 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 27: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (III)
O 27.6: Talk
Thursday, March 25, 1999, 12:30–12:45, S1
Elektronische Bandstruktur der 3C-SiC(001)2x1-Oberfläche — •L. Duda1, L. S. O. Johansson1, B. Reihl1, H. W. Yeom2, S. Hara3 und S. Yoshida3 — 1Experimentelle Physik I, Universität Dortmund, D-44221 Dortmund — 2Research Center for Spectrochemistry, University of Tokyo, Tokyo 113, Japan — 3Electrotechnical Laboratory, Tsukuba, Ibaraki 305, Japan
Mittels winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie und
Synchrotronstrahlung
haben wir die Si-terminierte 3C-SiC(001)2x1-Rekonstruktion
untersucht.
Durch Heizen im Si-Fluß wurde diese eindomänige
2x1-Oberflächenrekonstruktion
präpariert. Die Messungen wurden bei verschiedenen Photonenenergien
entlang
der Hauptsymmetrierichtungen
durchgeführt und die experimentell erhaltenen detaillierten
Bandstrukturen werden mit ab initio Rechnungen[1] verglichen.
Die Spektren zeigen einen deutlich sichtbaren Oberflächenzustand in der
Bandlücke
bei einer Bindungsenergie von 1.5 eV.
Im Gegensatz zu den Berechnungen ist entlang der Γ-J’-Richtung dieser
Zustand
nahezu dispersionslos, während er entlang der Γ-J-Richtung eine
ausgeprägtere
Dispersion zeigt. Polarisationsabhängige Messungen erlauben zusätzlich
die
Symmetrieeigenschaften der Zustände zu studieren. Anhand dieser Ergebnisse
soll
diskutiert werden, ob noch ein weiterer Oberflächenzustand beobachtet
wird.
[1] M. Sabisch, P. Krüger, A. Mazur, M. Rohlfing, J. Pollmann, Phys. Rev. B 53,13121 (1996)