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O: Oberflächenphysik

O 34: Zeitaufgelöste Spektroskopie

O 34.9: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 18:15–18:30, S2

Ze itaufgelöste Zweiphotonenphotoemission von CoSi₂(1×1)-S / Si(111) — •T. Groth, M. Kutschera, I. L. Shumay, M. Weinelt und Th. Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen, Germany

Auf einem p-dotierten Si(111) Substrat wurden pseudomorphe Si-reiche CoSi₂-S Filme verschiedener Schichtdicke präpariert und mit bichromatischer Zweiphotonenphotoemission (2PPE) untersucht. Mit steigender Bedeckung wurde die Ausbildung von drei unbesetzten elektronischen Zuständen mit Bindungsenergien von 0.8 eV, 1.2 eV und 4.2 eV über dem Fermi-Niveau beobachtet. Die Intensitätszunahme der in normaler Emission (k_∥=0) spektroskopierten Zustände bis zu einer Schichtdicke von fünf Trilagen CoSi₂ wird durch die Ausbildung der Bandstruktur und den zunehmenden metallischen Charakter der Oberfläche erklärt. Die Lebensdauern dieser Zustände wurden mittels zeitaufgelöster 2PPE zu kleiner 30 fs bestimmt. Der schnelle Zerfall sowie die Tatsache, daß keine Serie von Zuständen beobachtet werden konnte, macht eine Zuordnung dieser Zustände zu Bildladungszuständen unplausibel. Sie müssen vielmehr durch bandstrukturabgeleitete Übergänge erklärt werden. Ab einer Schichtdicke von 20 Trilagen CoSi₂ ergeben sich deutliche Unterschiede in den energieaufgelösten Spektren, die auf ein verändertes Filmwachstum

zurückgeführt werden.