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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.12: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Untersuchung der Wechselwirkung von Ethylen mit Si(111)-Oberflächen mittels Real-Time spektroskopischer Ellipsometrie — •T. Wöhner^1,2, J. Pezoldt¹ und J.A. Schaefer² — ¹TU Ilmenau, Institut für Festkörperelektronik, PF 100565, 98684 Ilmenau — ²TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, 98684 Ilmenau

Die Wechselwirkung von Kohlenstoff bzw. Kohlenwasserstoff mit Siliziumoberflächen ist von besonderem Interesse beim Wachstum von SiC auf Si. Für die in situ Kontrolle dieses Prozesses unter Ultrahochvakuum- (UHV) und unter Normaldruckbedingungen ist die Entwicklung einer Standardmethode erforderlich. Bezüglich dieser sehr unterschiedlichen Druckverhältnisse bietet die Wechselwirkung von Licht mit der Festkörperoberfläche eine Alternative. Zum Einsatz kommt die Spektralellipsometrie (SE). Zur Prozeßbeschreibung wurde ein optisches Modell entwickelt, das die Interpretation der ellipsometrischen Meßwerte ermöglicht. Die Modellparameter werden mit Hilfe geeigneter Methoden bestimmt, die eine direkte Information liefern. Die C₂H₄-Wechselwirkung mit Si(111)-Oberflächen wurde im Temperaturbereich von 850<T<1100K unter UHV-Bedingungen mit Real-Time-SE, in vakuo LEED und in vakuo XPS untersucht. Die entstandene Oberflächenmorphologie wurde mit AFM aufgenommen und die Rauhigkeit bestimmt. Es wurden verschiedene Zustände während des Wechselwirkungsprozesses beobachtet: Inkubationszeit, (√3x√3) R30^o-Oberflächenrekonstruktion und SiC-Keimbildung.