Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 36: Poster (II)
O 36.15: Poster
Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt
Zeitaufgelöste Untersuchung der Eisensilizidbildung auf Si(113) mit dem Hochtemperatur STM — •M. Kneppe, V. Dorna und U. Köhler — Experimentalphysik IV, AG Oberflächen, Ruhr–Universität Bochum, 44780 Bochum
Bei Temperaturen zwischen 400∘C und 600∘C wurde auf Si(113) Eisen und Silizium in einem CVD-Prozeß (Fe(CO)5 und Si2H6) abgeschieden. Die atomare Struktur und das Wachstumsverhalten des Eisensilizids wurden mit LEED und zeitaufgelöst im Hochtemperatur-STM untersucht.
Die erste Monolage bildet kettenartige Strukturen mit einer (4×n)-Oberflächenrekonstruktion mit vielen Versetzungen in [332]-Richtung.
Im weiteren Verlauf nukleieren auf der ersten Monolage Inseln mit einem anisotropen Längen-/Breitenverhältnis. Die starke Anisotropie ist auch schon beim homoepitaktischen CVD-Wachstum mit Si2H6 auf Si(113) gefunden worden [1]. Beim Abscheiden von Fe(CO)5 allein scheint das Wachstum der Inseln durch Blockierung der vertikalen Siliziumdiffusion gehemmt. Erst durch Koevaporation mit Si2H6 entstehen größere Silizidflächen, die einen Facettenwinkel mit dem Substrat von etwa 3∘ einschließen. Dies führt im Gegensatz zur Si(111) zur Ausbildung deutlich glatterer Schichten.
Die Möglichkeit des selektiven Wachstums durch gezieltes Facettieren der reinen Si(113)-Fläche soll ebenfalls beschrieben werden.
[1] V. Dorna, Z. Wang, U. Köhler, Surface Science 401, L375 (1998)