Münster 1999 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 36: Poster (II)
O 36.17: Poster
Thursday, March 25, 1999, 20:00–22:30, Zelt
3D/2D quasi-van der Waals-Epitaxie von II-VI oder III-V Halbleitern auf Schichtgitterchalkgenid-Substraten — •E Wisotzki1, A Klein1, W Jaegermann1, A Vogt2, H Hartnagel2 und Y Tomm3 — 1Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Materialwissenchaft, Petersenstraße 23, 64287 Darmstadt — 2Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Elektrotechnik, Merckstraße 25, 64283 Darmstadt — 3Hahn-Meitner-Institut, Glienickerstraße 100, 14109 Berlin
GaAs und ZnSe-Schichten (3D) wurden mit MBE auf den Schichtgittersubstraten MoS2, WSe2, GaSe (2D) abgeschieden. Das Wachstumsverhalten bezüglich Morphologie und Struktur der Schichten wurde mit den Methoden XPS, UPS, LEED, AFM, XRD sowie SEM unter verschiedenen Wachstumsbedingungen untersucht. Die auf den (0001)-van der Waals-Flächen der Schichtgittersubstrate deponierten Halbleiterschichten zeigen vorzugsweise (111)-Orientierung mit ausgeprägtem Inselwachstum. Durch Variation der Abscheidebedingungen wie Substrattemperatur und Wachstumsrate wurde der Einfluß dieser Parameter auf Korngröße und Morphologie untersucht.