Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.19: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

STM- und MC-Untersuchungen des homoepitaktischen Wachstums auf bcc(110) Oberflächen — •C. Jensen¹, U. Köhler¹, L. Brendel², A. Schindler² und D.E. Wolf² — ¹Experimentalphysik IV, AG Oberflächen, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum — ²FB-10 Theoretische Festkörperphysik,Universität Duisburg, 47048 Duisburg

 
Zeitaufgelöste STM-Daten der homoepitaktischen Systeme Fe/Fe(110) und W/W(110) wurden mit MC-Simulationen, die die korrekte Kristallsymmetrie mit einschließen, verglichen. Mit Hilfe eines simplen Bondcounting-Modells lassen sich die Einflüße der verschiedenen Diffusions- und Bindungsschritte auf das Wachstumsverhalten gut qualitativ abschätzen. Zur Reproduktion der im STM gefundenen anisotropen Inselformen ist ein Verbot der Diffusion entlang der [001]-Richtung unerläßlich.
Unter Benutzung eines Finnis/Sinclair-Wechselwirkungspotentials wurde ein kompletter Satz von Aktivierungsenergien für die Diffusion berechnet, der die lokalen Umgebungen des diffundierenden Atoms berücksichtigt. Im Rahmen dieses Modells zeigt sich eine hohe Mobilität kleiner Cluster, die mit der der Monomere vergleichbar ist. Mit Hilfe einer statistischen Auswertung der STM-Daten wurde eine Analyse des kritischen Keims durchgeführt. Das Verhandensein einer anisotropen Schoebelbarriere läßt sich aus den STM-Daten ableiten und der Einfluß in der Simulation studieren.
Anfangsbilder von mit dem STM gemessenen Zeitsequenzen wurden als Startanordnungen für kinetische MC-Simulationen genommen und der zeitliche Verlauf des Wachstums in der Simulation dann mit dem tatsächlichen verglichen.