Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 36: Poster (II)
O 36.38: Poster
Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt
Endpunkterkennung beim Strukturübertrag in Mo/Si–Multischichtsystemen mittels reaktivem Ionenätzen (RIE) — •L. Dreeskornfeld1, R. Segler1, E. Majkova1, G. Haindl1, O. Wehmeyer1, J. Kretz2, U. Kleineberg1 und U. Heinzmann1 — 1Molekül– und Oberflächenphysik, Universität Bielefeld, Universitätsstr. 25, D–33615 Bielefeld — 2Institut für Festkörper– und Werkstofforschung Dresden, PF 270016, D–01171 Dresden
In einer Anlage für reaktives Ionenätzen (RIE) werden unter Verwendung von fluorierten Prozeßgasen (CF4, CHF3) Lateralstrukturen in Mo/Si–Multischichtsysteme übertragen. Solche Systeme eignen sich als hochreflektierende Coatings für weiche Röntgenstrahlung. Aus dem Emissionsspektrum des Plasmas wird mit einem optischen 2–Kanal–Spektrometer in situ die Konzentration der Fluorradikale analysiert. Mit einem speziell entwickelten Algorithmus wird aus deren zeitlicher Variation der Übergang des Ätzprozesses vom Multischichtsystem in das Substrat bestimmt.
Mittels Elektronenstrahl– bzw. UV–Lithographie wurden Strukturen mit lateralen Ausdehnungen von wenigen 100 nm bis zu einigen µm erzeugt. Anhand dieser Strukturen konnte die Funktion der Endpunkterkennung nachgewiesen werden. Die ex situ Charakterisierung erfolgte mittels AFM, SEM und TEM.
Desweiteren wird eine Verbesserung der Strukturübertragung hinsichtlich Flankensteilheit und Anisotropie durch Variation der Prozeßparameter, wie z. B. Gaszusammensetzung und Prozeßtemperatur, präsentiert.