Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.3: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Stabile Rekonstruktions-Phasen auf der 6H-SiC(0001) Oberfläche — •J. Bernhardt, M. Nerding, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstraße 7, 91058 Erlangen

Im Gegensatz zu den (0001)-orientierten SiC Oberflächen ist bislang wenig über die atomaren Strukturen bekannt, die auf den (0001)-Flächen auftreten. Abhängig von der gewählten Oberflächenstöchiometrie und Präparationsweise sind auf der 6H-SiC(0001) Oberfläche vier verschiedene stabile Rekonstruktionsphasen zu beobachten, von denen drei durch Heizen im Vakuum (in-situ) ineinander überführt werden können. Ausgehend von einer ex-situ präparierten Probe (je nach verwendeter Methode eine (1×1)-Phase oder (√3×√3)R30^∘-Rekonstruktion) kann durch Tempern bei 1050^∘C eine (3×3)-Phase erzeugt werden, die durch weiteres Heizen bei 1075^∘C in die (2×2) _C-Phase übergeht (Der Index „ _C“ dient zu Unterscheidung stöchiometrisch unterschiedlicher Phasen gleicher Periodizität). Heizen bei höheren Temperaturen (≥1150^∘C) führt unter Ausbildung der Volumenperiodizität (1×1)-Phase zur Graphitisierung der Oberfläche. Die einzige stabile siliziumreiche Phase, (2×2) _Si, kann durch Heizen der Probe im Silizium-Fluß oder durch Tempern eines aufgedampften Si-Films erzeugt werden. Wir präsentieren eine vergleichende Übersicht über LEED und AES Messungen an den verschiedenen Phasen. Die (2×2) _C- und (3×3)-Rekonstruktionen wurden darüberhinaus mittels STM untersucht und daraus Rückschlüsse auf deren atomare Geometrie gezogen. (gefördert durch DFG / SFB 292)