Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.50: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Messung von Oberflächenpotentialen mit Nanometerauflösung mittels AFM — •A. Breymesser¹, V. Schlosser¹, C. Eisenmenger-Sittner² und J. Summhammer³ — ¹Institut für Materialphysik, Universität Wien, Strudlhofgasse 4, A-1090 Wien, Austria — ²Institut für Angewandte und Technische Physik, Technische Universität Wien, Wiedner Hauptstraße 8-10, A-1040 Wien, Austria — ³Atominstitut der Österreichischen Universitäten, Stadionallee 2, A-1020 Wien, Austria

Atomic Force Microscopy (AFM) hat sich in den letzten Jahren als weitverbreitete Methode zur Bestimmung von topographischen Oberflächeninformationen etabliert. Es wurden Methoden entwickelt, mit denen neben der Topographie weitere Eigenschaften der Probenoberfläche wie beispielsweise die lokale magnetische oder elektrische Charakteristik gemessen werden können.

In der vorliegenden Arbeit werden Anwendungen der Messung von Oberflächenpotentialen mit Nanometerauflösung vorgestellt. Die experimentelle Grundlage ist dabei eine Modifikation und Miniaturisierung der klassischen Kelvin-Methode zur Bestimmung von Kontaktpotentialen mit Hilfe eines AFMs. Dabei werden sowohl die Topographie als auch die Potentialinformation gleichzeitig erfasst.

Die Methode konnte an verschiedenen Referenzproben erfolgreich getestet werden. Es wurden dabei sowohl sputter-deponierte heterogene metallische Schichten als auch Silizium-Halbleiterstrukturen gemessen. Im weiteren sollen neuartige Silizium-Dünnschichtmaterialien für Photovoltaikanwendungen untersucht werden. Ein besonderer Schwerpunkt soll dabei in der Charakterisierung von Korngrenzen und in der Untersuchung von Diodenstrukturen liegen.