Münster 1999 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.80: Poster

Thursday, March 25, 1999, 20:00–22:30, Zelt

Halbraumverfahren in Photoemissionsrechnungen — •S. Brodersen, C. Solterbeck und W. Schattke — Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, CAU Kiel

Auf der Grundlage der DFT in lokaler Dichtenäherung haben wir ein Verfahren entwickelt, die elektronische Struktur des halbunendlichen Kristalls selbstkonsistent zu bestimmen. Der Standardweg zur Beschreibung von Kristalloberflächen - Superzellennäherung, Ebene-Wellen Basis, Pseudopotentiale - verlangt einen hohen numerischen Aufwand, wenn Konvergenz in den Wellenfunktionen bezüglich der Schichtdicke und der cut-off Energie erreicht werden soll. Für Photoemissionsrechnungen sind Halbraumverfahren besser geeignet. Durch die Verwendung einer LCAO-Basis und eines schnellen Renormalisierungsalgorithmus erhalten wir die Greensche Matrix und damit die Oberflächenbandstruktur mit geringem Aufwand. Ohne die Einschränkung durch Pseudopotentiale kann auch der Kern-nahe Bereich realistisch beschrieben werden. Es werden Anwendungen auf rekonstruierte GaAs(001)-Oberflächen und Rechnungen zur winkelaufgelösten Photoemission im Ein-Stufen Modell vorgestellt.