Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 36: Poster (II)

O 36.9: Poster

Donnerstag, 25. März 1999, 20:00–22:30, Zelt

Wachstumscharakterisierung von α-Zinn auf InSb (110) Spaltflächen — •K. Fleischer¹, A.-M. Frisch¹, N. Esser¹, I. Didschuns², W. Richter¹ und K. Lüders² — ¹Technische Universtität Berlin, Institut für Festkörperphysik — ²Freie Universtität Berlin, Institut für Experimentalphysik

Für die Untersuchung der elektronischen Eigenschaften epitaktischer α-Zinnschichten wurden Proben auf InSb (110) Spaltflächen im UHV mittels MBE gewachsen. Aufgrund der guten Gitteranpassung zum Zinn konnte die bei Raumtemperatur instabile α-Phase von Zinn stabilisiert werden. In dieser Arbeit wurde der Wachstumsprozeß der Schichten mittels Auger Spektroskopie, LEED-Untersuchungen und in-situ Ramanspektroskopie untersucht. Die Morphologie der Proben wurde zusätzlich ex-situ mit einem AFM bestimmt. Es zeigte sich, daß auf de m gewählten Substrat die Schichten nur bis zu maximal 15 ML lagenweise wachsen. Danach erfolgt Inselwachstum, wobei bei zunehmender Bedeckung di e Größe der Inseln zunimmt, aber abgesehen von den ersten 15 ML keine dickere geschlossene Schicht unter den Inseln entsteht. Mit Röntgendiffraktometrie wurde gezeigt, daß trotz des Inselwachstums bis zu Schichtdicken von nominell 600 ML das Zinn in d er α-Phase vorliegt. Schichten unterschiedlicher Dicke wurden nach de n ersten Messungen getempert, um den Einfluß der Temperaturerhöhung auf Morphologie und kristalline Struktur (Phasenübergang zu β-Zinn) zu untersuchen.