Münster 1999 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 4: Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen (I)

O 4.3: Talk

Monday, March 22, 1999, 11:45–12:00, S1

Tieftemperaturmessungen an 3C-SiC(100)-Oberflächen mittels HREELS — •T. Balster¹, V. Polyakov¹, H. Ibach² und J.A. Schaefer¹ — ¹TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565 , D-98684 Ilmenau — ²Forschungszentrum Jülich, IGV, D-52425 Jülich

Wir haben mittels hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie (HREELS) optische Oberflächenphononen (Fuchs-KliewerPhononen) und Oberflächenplasmonen der Leitungsbandelektronen der (2×1)- und der c(2×2)-Rekonstruktion der SiC(100)-Oberfläche im Temperaturbereich von 35 K bis 300 K untersucht.
Mit Abnahme der Temperatur reduzierte sich die Halbwertsbreite des Strahles der quasielastisch reflektierten Elektronen, was im Einklang mit der Verringerung der Konzentration der freien Elektronen im Leitungsband und damit der Verlustenergie des Plasmons (ω²∝ n) steht.
Dadurch konnte nach Wasserstoffangebot von 40 L bei Raumtemperatur an der (2×1) die Si-H-Streckschwingung bei 2140 cm⁻¹ und an der c(2x2) die C-H-Streck- bei 2898 cm⁻¹ und Biegeschwingung bei 1532 cm⁻¹ nachgewiesen werden. Nach einem Wasserstoffangebot von 400 L wurde keine Veränderung der Lage der Si-H-Streckschwingung beobachtet, während auf der C-reichen Oberfläche zusätzlich die C-H₂-Streckschwingung (3000 cm⁻¹) und die C-H₂-Scherschwingung (1293 cm⁻¹) identifiziert wurden.