Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 40: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (IV)

O 40.2: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:30–11:45, S1

Messung der Metallisierung ultradünner Alkalimetallschichten mittels He*-Streuung — •Peter Fouquet¹ und Gregor Witte² — ¹Max-Planck-Institut für Strömungsforschung, Bunsenstraße 10, D-37073 Göttingen — ²Lehrstuhl für Physikalische Chemie I, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, D-44780 Bochum

Aufgrund ihrer sehr kleinen Elektronenaffinität haben einzelne, auf Metalloberflächen adsorbierte Alkalimetallatome einen stark ionischen Charakter. Mit zunehmender Bedeckung tritt eine Metallisierung des Alkalimetallfilms ein, die bereits bei einer kompletten Monolage abgeschlossen ist. Infolge der geringen elektronischen Zustandsdichte des Alkalimetall s-Bandes im Vergleich zu den Valenzbändern des Substrats kann die Metallisierung nicht direkt vermessen werden.

In dieser Studie ist die Metallisierung ultradünner Na-, K- und Cs-Filme auf einem Cu(100) Substrat durch die Streuung metastabiler 2³S He*-Atome untersucht worden. Im Gegensatz zur Abregungsspektroskopie (MDS) wurden dabei nicht die bei der Abregung emittierten Elektronen spektroskopiert, sondern die Überlebenswahrscheinlichkeit der He*-Atome bedeckungsabhängig gemessen. Da die Abregungsrate der He*-Atome sehr empfindlich von der elektronischen Zustandsdichte der obersten Lage abhängt, erlaubt diese Methode die Beobachtung der Ausbildung und des Auffüllens der Valenzbänder der Alkalimetallfilme. Zusätzlich wurde die Struktur der sich dabei ausbildenden Filme in-situ durch hochaufgelöste He-Atomstreuung charakterisiert und mit früheren SPA-LEED Untersuchungen verglichen.