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O: Oberflächenphysik
O 40: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (IV)
O 40.4: Vortrag
Freitag, 26. März 1999, 12:00–12:15, S1
Elektronische Struktur von i-AlPdMn-Quasikristallen — •W. Theis2, E. Rotenberg1, S.R. Barman3, J.J. Paggel4, K. Horn3, Ph. Ebert5 und K. Urban5 — 1Advanced Light Source, Berkeley, USA — 2Freie Universität Berlin — 3Fritz-Haber-Institut der MPG, Berlin — 4Department of Physics, University of Illinois, USA — 5Forschungszentrum Jülich
Quasikristalle besitzen eine Reihe von physikalischen Eigenschaften wie z.B. eine niedrige elektrische und thermische Leitfähigkeit, welche sie stark von anderen metallischen Legierungen unterscheiden. Um diese Unterschiede zu verstehen, ist eine Aufklärung ihrer elektronischen Struktur wichtig. Wir haben die Beiträge der verschiedenen Atomsorten zum Valenzband von ikosahedralem AlPdMn durch winkelaufgelöster Photoemission mittels Synchrotronstrahlung untersucht. Die Proben wurden durch Spalten im UHV sowie durch Ionenbombardement und Tempern präpariert. Resonante Photoemission an der Mangan-L-Kante und die Ausnutzung von Wirkungsquerschnittsvariationen des Pd 4d-Niveaus im Bereich des Cooperminimums erlauben eine Zuweisung einzelner Bereiche des Valenzbandes zu Pd und Mn; weitere Hinweise ergeben sich aus der Asymmetrie der Rumpfniveau-Linien, z.B. der fast symmetrischen Pd 3d-Linie. Das Valenzniveau- Photoelektronenspektrum zeigt eine deutliche fünfzählige Symmetrie der winkelabhängigen Emission, und gibt Hinweise auf ein band-artiges Verhalten der beteiligten Zustände. Diese Resultate werden im Rahmen theoretischer Beschreibungen der elektronischen Struktur von Quasikristallen diskutiert.