Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (I)
O 9.4: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 17:00–17:15, S1
Die elektronische Struktur von HgSe(110) — •N. Orlowski1, J. Augustin1, Z. Gołacki2, C. Janowitz1 und R. Manzke1 — 1Institut für Physik der Humboldt Universität zu Berlin, Invalidenstr. 110, 10115 Berlin — 2Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
Die durch Spalten präparierte (110)-Oberfläche von HgSe wurde mittels winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie sowohl unter Verwendung von Synchrotron- als auch von HeIα-Strahlung untersucht. Die besetzte Volumenbandstruktur wurde entlang der Σ-Linie der Volumen-Brillouinzone bei Anregungsenergien zwischen 12 und 30 eV, die Oberflächenbandstruktur entlang hochsymmetrischer Richtungen der Oberflächen-Brillouinzone bei ausgewählten Photonenenergien gemessen. Dies wird mit den entsprechenden Messungen der (110)-Oberfläche von HgTe, dem klassischen ’zero gap’-Halbleiter, verglichen, die von uns bereits früher vorgestellt wurden [1]. Für HgSe wird die an der (001)-Fläche erhaltene positive fundamentale Energielücke [2] im Zusammenhang mit den Beobachtungen an der (110)-Fläche diskutiert, die auch diese Interpretation nahelegen. Gefördert durch das BMBF (Projekt-Nr. 05 SE8KHA9).
[1] N. Orlowski, J. Augustin,Z. Gołacki, C. Janowitz, A. Müller, R. Manzke, Verhandl. DPG(VI)33, O 34.14 (1998)
[2] K.-U. Gawlik, L. Kipp, M. Skibowski, N. Orlowski, R. Manzke, Phys. Rev. Lett. 78, 3165 (1997) und 81, 1536 (1998)