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SYMC: Symposium Neue Entwicklungen in Quanten-Monte-Carlo-Simulationen

SYMC 2: Neue Entwicklungen in Quanten-Monte-Carlo-Simulationen II

SYMC 2.3: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:30–17:45, Ger

Quanten-Monte-Carlo-Rechnungen zur idealen und rekonstruierten (110) Oberfläche von GaAs — •D. Schulz¹, R. Bahnsen¹, W. Schattke¹ und R. Redmer² — ¹Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, CAU Kiel — ²Fachbereich Physik, Universität Rostock

Die bisherigen Variations-Quanten-Monte-Carlo-Rechnungen (VQMC) zu Bulk-Konfigurationen wurden auf die Behandlung von Oberflächensystemen erweitert. Hier werden Ergebnisse solcher Rechnungen für die GaAs (110) Oberfläche vorgestellt. Es wird eine parametrisierte Vielteilchenwellenfunktion vom Slater-Jastrow-Typ mit lokalisierten Orbitalen verwendet. Durch die Einführung von oberflächenspezifischen Variationsparametern gewinnt die Wellenfunktion genügend Flexibilität und eröffnet die Möglichkeit, die Bindungsverhältnisse an der Oberfläche zu untersuchen. Dabei werden sowohl die ideale Oberfläche als auch Modelle relaxierter Oberflächen betrachtet und die Ergebnisse im Hinblick auf die Gesamtenergie verglichen. Mit der optimierten Wellenfunktion werden weitere Observablen wie die Ladungsdichte an der Oberfläche berechnet.