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SYNK: Symposium Nanokristalline Materialien - Struktur und elektronische Eigenschaften
SYNK VIII: HV VIII
SYNK VIII.1: Hauptvortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 18:00–18:30, H3
Nanokristalline Si/SiO2 Übergitter – Ein Weg zu leuchtendem Silizium? — •M. Zacharias — Institut für Experimentelle Physik, Abteilung Festkörperphysik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, PF 4120, D-39016 Magdeburg
Licht-emittierende Filme und Bauelemente herzustellen mit Methoden kompatibel zur Standard-Siliziumtechnologie, ist eine faszinierende Idee. Doch obwohl erste LED’s auf der Basis von porösem Si realisiert wurden, stehen einer kommerziellen Nutzung vielfältige Probleme entgegen. Nach einer Zusammenfassung der strukturellen und optischen Eigenschaften von ungeordneten Ge Nanokristallen in amorpher SiOx Matrix wird ein Überblick über die Herstellung und Kristallisation von amorphen Si/SiO2 Übergitterstrukturen gegeben. Der Einfluß der Lagendicke auf die Kristallisationstemperatur und die Kristallitgröße wird demonstriert. Umfangreiche Untersuchungen zeigen Wege zur strukturellen Optimierung und zur Erzeugung geordneter nanokristalliner Si Strukturen auf. Die Lumineszenzeigenschaften werden diskutiert und der Einfluß einer Postoxidation auf die Lumineszenz wird gezeigt. Erste Ergebnisse zur Dotierung der Übergitterstruktur werden berichtet.