Münster 1999 – scientific programme

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SYST: Symposium Spinabhängiger Transport

SYST III: HV III

SYST III.1: Invited Talk

Tuesday, March 23, 1999, 10:30–11:00, F5

Spinpolarisiertes Tunneln: Grundlagen, Materialien und Anwendungen — •G. Güntherodt — 2. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, 52056 Aachen

Der quantenmechanische Tunneleffekt für spinpolarisierte Elektronen findet derzeit erhöhte Aufmerksamkeit hinsichtlich der Anwendung in magnetoresistiven Speicherelementen (MRAMs = magnetic random access memories), die auf dem Riesenmagnetowiderstands-Effekt austauschgekoppelter magnetischer Schichten mit Stromfluss senkrecht zur Schichtebene beruhen. Die Proportionalität des Tunnelmagnetowiderstands zur Spinpolarisation P der beiden magnetischen Schichten erfordert neben einer optimierten und reproduzierbaren Herstellung der Tunnelbarrieren auch hohe Spinpolarisationswerte. Das derzeitige Forschungsinteresse konzentriert sich auf die Abhängigkeit von P von der elektronischen Struktur und den Grenzflächeneigenschaften der Schichten sowie von den Temperbedingungen der Tunnelkontakte. Alternative Konzepte basieren auf den sogen. halbmetallischen Ferromagneten, wie z.B. CrO₂, Fe₃O₄ oder NiMnSb, für die hohe Werte von P an der Fermienergie theoretisch vorausgesagt wurden. Der Vortrag gibt einen Überblick des gegenwärtigen Stands der Forschung auf diesem aktuellen Gebiet der Magnetoelektronik.

Unterstützt durch BMBF 13N7329 und DFG / SFB 341, unter Mitarbeit von U. May, J. Dreßen, D. Dahmen, M. Bamming, M. Rabe, H. Vonberg, H. Kittur, P. Miltényi, M. Gierlings, F. Nouvertné, U. Korte und U. Rüdiger.