Münster 1999 – scientific programme
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SYST: Symposium Spinabhängiger Transport
SYST IV: HV IV
SYST IV.1: Invited Talk
Tuesday, March 23, 1999, 11:00–11:30, F5
AMR-Sensoren – Von der aufgedampften Schicht zu kommerziell verwendbaren Sensoren — •R. Kassing — Universität Gh–Kassel, Institut für Technische Physik, Heinrich-Plett-Straße 40, 34109 Kassel
Der anisotrope magnetische Widerstandseffekt (AMR-), d. i. die Änderung des elektrischen Widerstands von z.B. Permalloyschichten als Funktion der Größe und Richtung eines angelegten Magnetfeldes wird für leistungsfähige Sensoren z.B. zur Längen–, Winkel–, Strom– und Magnetfeldmessung ausgenutzt. Die Widerstandsabhängigkeit läßt sich in guter Näherung durch R = R0 − Δ R sin2θ beschreiben, wenn θ der Winkel zwischen Strom- und Magnetisierungsrichtung in der dünnen Schicht ist. Die Anforderungen an die Schichten und an die verwendeten Strukturen zur Verwendung in kommerziellen Sensoren sind extrem hoch. Die Möglichkeiten zur Optimierung der Empfindlichkeit und Stabilität (T-Abhängigkeit, Offset, Offsetdrift, Hysterese etc.) der Sensoren werden diskutiert.