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TT: Tiefe Temperaturen

TT 15: Postersitzung II: Elektronische Eigenschaften (1-12), Josephson-Kontakte (13-27), Heavy Fermions (28-40), Theorie HTSL (41-48), M-I-Überg
änge, Korrelierte Systeme (49-79)

TT 15.20: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:30–18:00, Foy

Herstellung und Charakterisierung von Nb/InAs−HEMT Supraleiter/Halbleiter-Kontakten — •M. Koch, A. Richter, T. Matsuyama und U. Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Wir beschäftigen uns mit der Untersuchung mesoskopischer Quanteninterferenzphänomene in Supraleiter/Halbleiter-Hybridstrukturen. Hierzu entwerfen wir Strukturen aus Niob und hochbeweglichen InAs-Heterostrukturen. Der kritische Punkt zur Herstellung funktionsfähiger Bauelemente ist dabei die Ankontaktierung des Niobs an den dünnen (4nm) leitfähigen InAs-Kanal der Heterostruktur. Obwohl InAs keine Schottky-Barriere zu Niob ausbildet, kann die Kontakttransparenz durch Verunreinigungen bzw. Schäden an der Grenzfläche stark gemindert sein. Wir präsentieren den Herstellungsprozeß von Niob/InAs−HEMT Kontakten und zeigen deren elektronische Eigenschaften. Aus Vergleichen der Transportmessungen mit dem BTK Modell [1] kann auf die Transparenz der Kontakte zurückgeschlossen werden. Entscheidend für die Qualität der Kontakte sind der Mesaätzprozeß der Heterostrukturen und die Behandlung der Grenzflächen vor der Deposition des Niobs. Eine weitere Minderung der Kontakttransparenz resultiert aus der Fehlanpassung der Fermigeschwindigkeiten im Halbleiter bzw. Supraleiter. Um diesen Einfluß genauer zu untersuchen, werden derzeitig gatespannungsabhängige Messungen an den Kontakten vorgenommen.

[1] G. E. Blonder, M. Tinkham, T. M. Klapwijk, Phys. Rev. B 25(7), 4515(1982)